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微纳电子学-中国学科发展战略 内容简介
“中国学科发展战略”丛书由以院士为主体、众多专家参与的学科发展战略研究组经过深入调查和广泛研讨共同完成，涉及自然科学各学科领域。
《中国学科发展战略·微纳电子学》包含微纳电子学科/产业的发展历史及规律、纳米低功耗集成电路新器件新结构及其机制、lc/soc设计及eda技术、纳米集成电路与系统芯片制造技术、sip及其测试、化合物半导体、功率器件与集成技术、mems/nems、碳基纳米技术、固体理论进展研究等10个专题，详细分析了微纳电子学各领域的发展现状和态势，以及我国微纳电子学各分支学科的未来发展战略，并在此基础上对我国微纳电子学未来发展提出了针对性的政策建议或保障措施。
本书不仅能够帮助科技工作者洞悉学科发展规律、把握前沿领域和重点方向，也是科技管理部门重要的决策参考，同时也是社会公众了解微纳电子学学科发展现状及趋势的重要读本。
微纳电子学-中国学科发展战略 目录
总序
前言
摘要
**章 微纳电子学科/产业的发展历史及规律
**节 微电子学科/产业的发展历史及规律研究
一、从农业社会到信息社会
二、微电子学科/技术发展的历史沿革
三、集成电路市场的变化
四、集成电路产业结构的变迁
五、集成电路产业的投资
六、集成电路技术的发展趋势
七、小结
第二节 中国集成电路产业的发展
一、中国集成电路产业的萌芽
二、中国集成电路产业的成长
三、中国集成电路产业的现状
四、从集成电路消费大国到产业强国
参考文献
第二章 纳米低功耗集成电路新器件新结构及其机制研究
**节 纳米低功耗集成电路新器件研究的背景及发展现状
一、微电子器件发展的若干历史及研究背景
二、新结构器件发展的必然性
三、新结构器件研究的发展历史
四、主要的新器件结构和研究现状
五、新型存储器件及其研究现状
第二节 纳米低功耗集成电路新器件研究中的关键问题
一、新型逻辑器件
二、新型存储器件
第三节 纳米低功耗集成电路新器件领域未来发展趋势
第四节 建议我国重点支持和发展的方向
一、“后22纳米”新器件大规模集成制造技术
二、“后22纳米”新材料器件集成技术
三、新型存储器件技术
第五节 有关政策与措施建议
参考文献
第三章 ic/soc设计及eda技术
**节 集成电路设计领域的发展趋势与关键问题
一、电子应用系统推动集成电路设计技术发展
二、“集成”将成为未来芯片设计技术的主题
三、迫切需要系统层次上的设计方法学指导
四、dft、dfm、dfr占芯片设计的比重将越来越大
五、垂直分工模式的产业组织模式对芯片设计影响巨大
六、集成电路设计的关键问题
第二节 soc与集成电路设计
一、soc基本概念
二、soc设计的关键技术
三、应用概念
四、集成电路设计方法学
第三节 eda技术与工具
一、概述与发展趋势
二、我国eda系统发展思路、发展途径、主要门类与重点产品
第四节 航天微电子技术
一、概述
二、辐射效应和加固技术
三、航天微电子技术的发展趋势
四、发展航天微电子的挑战
第五节 中国集成电路设计业发展的机遇与预测
一、发展现状
二、政策支持情况分析
三、对中国内地集成电路设计业发展的预测及政策措施建议
参考文献
第四章 纳米集成电路与系统芯片制造技术
**节 纳米集成电路与系统芯片制造技术研究背景及发展现状
一、国内的研究背景及发展现状
二、国际制造工艺发展现状
第二节 纳米集成电路与系统芯片制造技术领域中的若干关键问题
一、光刻工艺
二、新材料和新工艺技术
三、450毫米硅片工艺技术
四、工艺模型技术
五、针对非传统器件的新工艺技术
第三节 纳米集成电路与系统芯片制造技术未来发展趋势
一、光刻
二、前端工艺
三、后端工艺
第四节 建议我国重点支持和发展的方向
第五节 有关政策与措施建议
参考文献
第五章 sip及其测试
**节 sip及其测试领域研究背景及发展现状
一、sip的基本概念
二、国外研究背景及发展现状分析
三、中国内地研究背景及现状
四、小结
第二节 sip及其测试领域中的若干关键技术
一、sip设计方法与工具
二、sip关键工艺技术
三、先进封装相关材料
四、sip测试技术
五、sip可靠性
第三节 sip及其测试领域未来发展趋势
第四节 我国对sip及其测试领域支持建议及发展预测
一、对sip及其测试领域的支持情况
二、对sip及其测试领域的支持建议
三、发展预测
第五节 有关政策与措施建议
参考文献
第六章 化合物半导体
**节 化合物半导体领域研究背景及发展现状
一、化合物半导体领域研究背景
二、化合物半导体领域发展现状
第二节 化合物半导体领域中的若干关键问题
第三节 化合物半导体领域未来发展趋势
第四节 建议我国重点支持和发展的方向
一、我国对化合物半导体领域现有支持情况分析
二、我国对化合物半导体领域支持建议与发展预测
参考文献
第七章 功率器件与集成技术
**节 功率半导体器件与集成技术简介
一、功率半导体器件简介
二、功率集成技术简介
第二节 功率半导体器件与bcd集成工艺的发展现状及技术趋势
一、国际功率半导体器件发展现状与技术趋势
二、国内功率半导体器件发展现状与技术趋势
三、国际bcd工艺的发展现状与技术趋势
四、国内bcd工艺的发展现状与技术趋势
五、国内外bcd功率集成技术比较
第三节 功率半导体器件与集成技术的未来发展趋势及若干关键问题
一、功率半导体器件领域未来发展趋势及若干关键问题
二、bcd集成工艺领域未来发展趋势及若干关键问题
第四节 建议我国重点支持和发展的方向
一、我国对功率器件与功率集成技术领域现有支持情况分析
二、我国对功率器件与功率集成技术领域支持建议及发展预测
参考文献
第八章 mems/nems
**节 mems/nems领域研究背景及发展现状
一、mems/nems背景概述
二、mems/nems的发展现状
第二节 mems/nems领域中的若干关键问题
一、mems/nems材料问题
二、mems/nems设计问题
三、mems/nems加工问题
四、小结
第三节 mems/nems领域未来发展趋势
第四节 建议我国重点支持和发展的方向
一、我国对mems/nems领域现有支持情况分析
二、我国对mems/nems领域支持建议及发展预测
第五节 有关政策与措施建议
参考文献
第九章 碳基纳米技术
**节 引言
第二节 石墨烯
一、石墨烯电学特性的基础理论研究
二、新型石墨烯制备方法
三、基于石墨烯的晶体管器件与禁带开启问题
四、石墨烯射频场效应晶体管
五、基于石墨烯复杂集成电路的设计和制备
六、石墨烯在电子器件上的其他应用
第三节 碳纳米管
一、碳纳米管的基本结构
二、碳纳米管的合成方法
三、碳纳米管的电学性质
四、基于碳纳米管的电子器件
第四节 结语
参考文献
第十章 固体理论进展研究
**节 引言
第二节 能带结构与载流子量子输运
一、能带计算方法的进展
二、**原理计算与密度泛函方法
三、载流子量子输运
第三节 低维材料物理(包括铁基超导)
一、量子点、量子线、量子阱
二、碳纳米管
三、石墨烯
四、拓扑绝缘体
五、铁基超导
第四节 硅基集成电路器件与新型存储器结构
一、应变硅技术
二、隧穿场效应晶体管
三、新型存储器技术
四、非晶氧化物半导体
第五节 致谢
参考文献
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