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半导体物理与测试分析 内容简介
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》较全面地介绍了半导体物理与测试分析的基础知识。主要内容包括：半导体的基本性质；半导体中杂质和缺陷能级，以及硅中位错和层错的观察；平衡态半导体中载流子的统计分布，杂质浓度及其分布的测量技术；载流子在外电场作用下的运动规律，以及霍尔系数和电导率的测量方法；非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制，少数载流子寿命的测量；pn结形成的工艺过程及其电学特性，pn结势垒电容的测量。
《电子与通信工程系列：半导体物理与测试分析》可作为高等学校微电子学、电子科学与技术、应用物理等专业本科生的教材，也可供理工类相关专业的本科生、研究生及科技人员参考。
半导体物理与测试分析 目录
第1章 半导体的基本性质
1.1 半导体特征与晶体结构
1.1.1 半导体
1.1.2 半导体材料的基本特性
1.1.3 半导体的晶体结构
1.1.4 化合物半导体的极性
1.2 半导体的能带
1.2.1 原子的能级和晶体的能带
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.3 半导体中电子的运动
1.4 典型半导体的能带结构
1.4.1 硅和锗的能带结构
1.4.2 砷化镓的能带结构
1.5 半导体材料简介
1.5.1 元素半导体
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