CMOS电路活用技巧 内容简介
本书以cmos的*小构成电路反相器为焦点,介绍cmos器件的特点、结构、设计规则及制造方法。以标准逻辑电路为例,介绍了组合逻辑电路、时序逻辑电路的定义、基本电路结构及其应用举例。进而,介绍了接口的技巧和目前备受关注的模拟技术等。本书还涉及大规模集成电路(lsi)的话题,介绍其分类及发展趋势,以及asic和存储器的基本技术。
CMOS电路活用技巧 目录
第1章 cmos器件的现状
1.1 半导体器件的分类
1.2 cmos器件的特征
1.3 cmos产品的种类和特点
第2章 cmos的结构
2.1 cmos的结构
2.2 设计规则
2.3 cmos的制造工程
2.3.1 衬底材料的制作
2.3.2 前工序
2.3.3 后工序
第3章 cmos的基本特性与逻辑电路的基本结构
3.1 cmos的基本特性
3.1.1 n-ch mos fet的特性表达式
3.1.2 p-ch mos fet的特性表达式
3.1.3 cmos反相器的特性
3.1.4 逻辑阈值电压
3.1.5 过渡区中的输出电压
3.1.6 电阻近似
3.2 cmos的特点
3.2.1 功率消耗小
3.2.2 能够在低电压下工作/工作电压范围宽
3.2.3 噪声余量大
3.2.4 容易集成化
3.2.5 输入阻抗高
3.2.6 基于输入电容的初次记忆
3.3 基本逻辑电路
3.4 正逻辑与负逻辑
3.5 基本电路
3.5.1 反相器
3.5.2 nand门
3.5.3 nor门
3.5.4 and,or门
3.5.5 传输门
3.5.6 时钟脉冲门
3.5.7 exclusiveor/nor门
3.5.8 触发器
CMOS电路活用技巧 作者简介
大幸秀成
1982年毕业于爱媛大学电气工程专业,进入东京芝浦电气株式会社(现在的东芝)半导体事业本部,从事CMOS技术的标准逻辑工作。致力于推进日本与欧美厂商的产品共同开发及全球标准化。现在依然从事和CMOS相关的产品开发及技术市场工作。
主要著作:
《基本·C?MOS標準ロジックIC活用マスタ》(CQ出版社)