如图所示，相互平行的竖直分界面MN、PQ，相距L，将空间分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ区.Ⅰ、Ⅲ区有水平方向的匀强磁场，Ⅰ区的磁感应强度未知，Ⅲ区的磁感应强度为B；Ⅱ区有竖直方向的匀强电场（图中未画出）.一个质量为m、电荷量为e的电子，自MN上的O点以初速度v₀水平射入Ⅱ区，此时Ⅱ区的电场方向竖直向下，以后每当电子刚从Ⅲ区进入Ⅱ区或从Ⅰ区进入Ⅱ区时，电场突然反向，场强大小不变，这个电子总是经过O点且水平进入Ⅱ区.（不计电子重力）

小题1:画出电子运动的轨迹图；
小题2:求电子经过界面PQ上两点间的距离；
小题3:若Ⅱ区的电场强度大小恒为E，求Ⅰ区的磁感应强度.

小题1:电子运动的轨迹如图所示

小题2:
小题3:（或）  

（1）电子运动的轨迹如图所示.
（2）电子在Ⅱ区Oa段做类平抛运动，

在a点的速度v₁与PQ成θ角，v₁sinθ=v₀       ①
电子在Ⅲ区ab段做匀速圆周运动
ev₁B=   ②
由几何知识=2R₁sinθ ③
解得=   ④
（3）电子在Ⅱ区Oa段运动的竖直位移
y₁=at²=·()²=   ⑤
电子在bc段做类斜上抛运动，加速度与Oa段等值反向，由运动的对称性得
电子运动的竖直位移y₂=y₁=   ⑥
电子在c处的速度v_c=v₀,方向水平向左 ⑦
所以，电子在Ⅰ区CO段做匀速圆周运动的半径R′=(y₁+y₂+)⑧
又ev₀B′=⑨
解得B′=（或）