◎ 题目

如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，∠MNQ＝90°。（忽略离子所受重力） （1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角Φ； （2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径； （3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16 m的离子打在S2处，求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

◎ 答案

解：（1） 得E0＝U0/d 由tanΦ＝得Φ＝45° （2）由 得R＝2

（3）将4m和16m代入R，得R1、R2 由Δs＝－R1 将R1、R2代入得Δs＝4(－1) 由R′2＝(2R1)2＋(R′－R1)2 得R′＝R1 由R1＜R＜R1 得m＜mx＜25m

◎ 解析

“略”

◎ 知识点

    专家分析，试题“如图所示，离子源A产生的初速度为零、带电荷量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速度电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开…”主要考查了你对  【带电粒子在复合场中的运动】  等知识点的理解和应用能力。关于这些知识点的“档案”，你可以点击相应的链接进行查看和学习。