3.1.3 Available Devices 可用器件 ………………………………………………………………………86
3.1.4 Process Extensions 工艺扩展 ……………………………………………………………………93
3.2 Polysilicon-Gate CMOS 多晶硅栅CMOS工艺 ………………………………………96
3.2.1 Essential Features 本质特征 ………………………………………………………………………97
3.2.2 Fabrication Sequence 制造顺序 …………………………………………………………………98
3.2.3 Available Devices 可用器件 ………………………………………………………………………104
3.2.4 Process Extensions 工艺扩展 ……………………………………………………………………109
3.3 Analog BiCMOS 模拟BiCMOS ………………………………………………………114
3.3.1 Essential Features 本质特征 ……………………………………………………………………115
3.3.2 Fabrication Sequence 制造顺序 …………………………………………………………………116
3.3.3 Available Devices 可用器件 ………………………………………………………………………121
3.3.4 Process Extensions 工艺扩展 ……………………………………………………………………125
3.4 Summary 小结 …………………………………………………………………………130
3.5 Exercises 习题 …………………………………………………………………………131
Chapter 4 Failure Mechanisms 失效机制… ………………………………………………133
4.1 Electrical Overstress 电过应力 …………………………………………………………133
4.1.1 Electrostatic Discharge (ESD) 静电漏放 …………………………………………………………134
4.1.2 Electromigration 电迁徙 …………………………………………………………………………136
4.1.3 Dielectric Breakdown 介质击穿 …………………………………………………………………138
4.1.4 The Antenna Effect 天线效应 ……………………………………………………………………141
4.2 Contamination 玷污 ……………………………………………………………………143

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