国外电子与通信教材系列集成微电子器件/(英文版)(美)JESUS A. DEL ALAMO 本书特色

本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。*部分（第1章至第5章）介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分（第6章至第11章）分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实际器件相关的重要因素。全书的内容架构有利于学生的理论知识学习与未来工作实践的衔接过渡。

国外电子与通信教材系列集成微电子器件/(英文版)(美)JESUS A. DEL ALAMO 内容简介

本书的重要特点是以与现代集成微电子学相关的方式介绍半导体器件操作的基本原理，不涉及任何光学或者功率器件，重点强调集成微电子器件的频率响应、布局、集合效应、寄生问题以及建模等。本书分为两部分，合计11章。部分（章至第5章）介绍半导体物理的基本原理，包括电子和光子及声子、平衡状态下的载流子统计学、载流子产生与复合、载流子漂移和扩散、载流子运动以及PN结二极管，涵盖能带结构、电子统计、载流子产生与复合、漂移和扩散、多数载流子和少数载流子等相关知识。第二部分（第6章至1章）分别讲解肖特基二极管与欧姆接触、硅表面与金属氧化物半导体结构、长金属氧化物半导体场效应晶体管、短金属氧化物半导体场效应晶体管以及双极结晶体管，详细探讨各种器件的物理及操作原理。各章涵盖了不理想性、二阶效应以及其他与实际器件相关的重要因素。全书的内容架构有利于学生的理论知识学习与未来工作实践的衔接过渡。

国外电子与通信教材系列集成微电子器件/(英文版)(美)JESUS A. DEL ALAMO 目录

1 Electrons, Photons, and Phonons 电子、光子和声子
1.1 Selected Concepts of Quantum Mechanics 量子力学的基本概念
1.1.1 The dual nature of the photon 光子的二重性
1.1.2 The dual nature of the electron 电子的二重性
1.1.3 Electrons in confined environments 密闭环境中的电子特性
1.2 Selected Concepts of Statistical Mechanics 统计力学的基本概念
1.2.1 Thermal motion and thermal energy 热运动和热能
1.2.2 Thermal equilibrium 热平衡
1.2.3 Electron statistics 电子统计特性
1.3 Selected Concepts of Solid-State Physics 固体物理的基本概念
1.3.1 Bonds and bands 化学键和能带
1.3.2 Metals, insulators, and semiconductors 金属、绝缘体和半导体
1.3.3 Density of states 态密度
1.3.4 Lattice vibrations: phonons 晶格振动：声子
1.4 Summary 小结
1.5 Further reading 延展阅读
Problems 习题
2 Carrier Statistics in Equilibrium 平衡状态下的载流子统计特性
2.1 Conduction and Valence Bands; Bandgap; Holes 导带和价带，带隙，空穴
2.2 Intrinsic Semiconductor 本征半导体
2.3 Extrinsic Semiconductor 非本征半导体
2.3.1 Donors and acceptors 施主和受主
2.3.2 Charge neutrality 电中性特点
2.3.3 Equilibrium carrier concentration in a doped semiconductor 掺杂半导体中的平衡载流子浓度
2.4 Carrier Statistics in Equilibrium 平衡状态下的载流子统计特性
2.4.1 Conduction and valence band density of states 导带和价带的态密度
2.4.2 Equilibrium electron concentration 平衡电子浓度
2.4.3 Equilibrium hole concentration 平衡空穴浓度
2.4.4 np product in equilibrium 平衡状态下的np积
2.4.5 Location of Fermi level 费米能级的位置
2.5 Summary 小结
2.6 Further Reading 延展阅读
AT2.1 Temperature Dependence of the Bandgap 带隙的温度依存性
AT2.2 Selected Properties of the Fermi-Dirac Integral 费米?C狄拉克积分的基本特性
AT2.3 Approximations for Strongly Degenerate Semiconductor 强简并半导体的数学近似
AT2.4 Statistics of Donor and Acceptor Ionization 施主和受主电离的数学统计
AT2.5 Carrier Freeze-Out 载流子束缚态
AT2.6 Heavy-Doping Effects 重掺杂效应
AT2.6.1 The Mott transition Mott转移
AT2.6.2 Bandgap narrowing 带隙变窄
Problems 习题

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