3 Carrier Generation and Recombination 载流子的产生与复合
3.1 Generation and Recombination Mechanisms 产生与复合机制
3.2 Thermal Equilibrium: Principle of Detailed Balance 热平衡：精细平衡原理
3.3 Generation and Recombination Rates in Thermal Equilibrium 热平衡下的产生率与复合率
3.3.1 Band-to-band optical generation and recombination 带间光产生和光复合
3.3.2 Auger generation and recombination 俄歇产生与复合
3.3.3 Trap-assisted thermal generation and recombination 陷阱辅助的热产生与复合
3.4 Generation and Recombination Rates Outside Equilibrium 非平衡条件下的产生与复合
3.4.1 Quasi-neutral low-level injection; recombination lifetime 准中性低浓度注入，复合寿命
3.4.2 Extraction; generation lifetime 提取和产生寿命
3.5 Dynamics of Excess Carriers in Uniform Situations 均匀条件下的过剩载流子动力学
3.5.1 Example 1: Turn-on transient 例1：开瞬态
3.5.2 Example 2: Turn-off transient 例2：关瞬态
3.5.3 Example 3: A pulse of light 例3：一个光脉冲
3.6 Surface Generation and Recombination 表面产生与复合
3.7 Summary 小结
3.8 Further Reading 延展阅读
AT3.1 Shockley?CRead?CHall Model 肖克利?C里德?C霍尔模型
AT3.1.1 Recombination lifetime 复合寿命
AT3.1.2 Generation lifetime 产生寿命
AT3.2 High-Level Injection 高浓度注入
Problems 习题

4 Carrier Drift and Diffusion 载流子的漂移和扩散
4.1 Thermal Motion 热运动
4.1.1 Thermal velocity 热运动速率
4.1.2 Scattering 散射
4.2 Drift 漂移
4.2.1 Drift velocity 漂移速率
4.2.2 Velocity saturation 速率饱和
4.2.3 Drift current 漂移电流
4.2.4 Energy band diagram under electric field 电场作用下的能带图
4.3 Diffusion 扩散
4.3.1 Fick’s first law 菲克**定律
4.3.2 The Einstein relation 爱因斯坦关系
4.3.3 Diffusion current 扩散电流
4.4 Transit Time 渡越时间
4.5 Nonuniformly Doped Semiconductor in Thermal Equilibrium 热平衡下的非均匀掺杂半导体
4.5.1 Gauss’law 高斯定律
4.5.2 The Boltzmann relations 玻尔兹曼关系
4.5.3 Equilibrium carrier concentration 平衡载流子浓度
4.6 Quasi-Fermi Levels and Quasi-Equilibrium 准费米能级与准平衡态
4.7 Summary 小结
4.8 Further Reading 延展阅读
AT4.1 Selected Properties of the Gamma Function 伽马函数的基本性质
AT4.2 Hot Carrier Effects 热载流子效应
AT4.2.1 Energy relaxation versus momentum relaxation 能量弛豫和动量弛豫
AT4.2.2 Hot-electron transport 热电子输运
AT4.2.3 Impact ionization 碰撞电离
Problems 习题

5 Carrier Flow 载流子运动
5.1 Continuity Equations 连续性方程
5.2 Surface Continuity Equations 表面连续性方程
5.2.1 Free surface 自由表面
5.2.2 Ohmic contact 欧姆接触
5.3 Shockley Equations 肖克利公式
5.4 Simplifications of Shockley Equations to One-Dimensional Quasi-Neutral Situations 一维准中性条件下的肖克利公式简化
5.5 Majority Carrier Situations 多数载流子
5.5.1 Example 1: Semiconductor bar under voltage 例1：电压下的半导体棒
5.5.2 Example 2: Integrated resistor 例2：集成电阻
5.6 Minority Carrier Situations 少数载流子
5.6.1 Example 3: Diffusion and bulk recombination in a “long” bar 例3：“长”棒中的扩散和体复合
5.6.2 Example 4: Diffusion and surface recombination in a “short” bar 例4：“短”棒中的扩散和表面复合
5.6.3 Length scales of minority carrier situations 少数载流子的长度效应
5.7 Dynamics of Majority Carrier Situations 多数载流子的动力学特性
5.8 Dynamics of Minority Carrier Situations 少数载流子的动力学特性
5.8.1 Example 5: Transient in a bar with S=∞ 例5：S=∞时，半导体棒的瞬态特性
5.9 Transport in Space-Charge and High-Resistivity Regions 空间电荷和高阻区中的输运
5.9.1 Example 6: Drift in a high-resistivity region under external electric field 例6：外电场作用下的高阻区漂移
5.9.2 Comparison between SCR and QNR transport 空间电荷区（SCR）与准中性区（QNR）输运的比较
5.10 Carrier Multiplication and Avalanche Breakdown 载流子倍增和雪崩击穿
5.10.1 Example 7: Carrier multiplication in a high-resistivity region with uniform electric field 例7：均匀电场作用下的高阻区载流子倍增
5.11 Summary 小结
5.12 Further Reading 延展阅读
AT5.1 Continuity Equations in Integral Form 积分形式的连续方程
AT5.2 Dielectric Relaxation 介电弛豫
AT5.3 Advanced Topics Regarding Minority Carrier Situations 少数载流子条件下的复杂难题
AT5.3.1 Advanced Example 1: Diffusion, drift, and recombination in a short bar with internal field 难题示例1：内电场作用下的短棒半导体中的载流子漂移、扩散和复合
AT5.3.2 More on length scales of minority carrier situations 少数载流子条件下的长度效应
AT5.3.3 Advanced Example 2: Transient in a bar with finite surface recombination 难题示例2：有限表面复合下的棒状半导体瞬态特性

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