VLSI设计基础-(第三版)

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VLSI设计基础-(第三版)

VLSI设计基础-(第三版)

作者:李伟华

开 本:16开

书号ISBN:9787121205910

定价:

出版时间:2013-06-01

出版社:电子工业出版社


本章结束语
练习与思考五
第6章 微处理器
6.1 系统结构概述
6.2 微处理器单元设计
6.2.1 控制器单元
6.2.2 算术逻辑单元(alu)
6.2.3 乘法器
6.2.4 移位器
6.2.5 寄存器
6.2.6 堆栈
6.3 存储器组织
6.3.1 存储器组织结构
6.3.2 行译码器结构
6.3.3 列选择电路结构
6.4 微处理器的输入/输出单元
6.4.1 p0口单元结构
6.4.2 p1口单元结构
6.4.3 p2口单元结构
6.4.4 p3口单元结构
本章结束语
练习与思考六

第7章 测试技术和可测试性设计
7.1 vlsi可测试性的重要性
7.2 测试基础
7.2.1 内部节点测试方法的测试思想
7.2.2 故障模型
7.2.3 可测试性分析
7.2.4 测试矢量生成
7.3 可测试性设计
7.3.1 分块测试
7.3.2 可测试性的改善设计
7.3.3 内建自测试技术
7.3.4 扫描测试技术
本章结束语
练习与思考七
第8章 模拟单元与变换电路
8.1 模拟集成单元中的基本元件
8.1.1 电阻
8.1.2 电容
8.2 基本偏置电路
8.2.1 电流偏置电路
8.2.2 电压偏置电路
8.3 放大电路
8.3.1 单级倒相放大器
8.3.2 差分放大器
8.3.3 源极跟随器
8.3.4 mos输出放大器
8.4 运算放大器
8.4.1 普通两级cmos运放
8.4.2 采用共源—共栅(cascode)输出级的cmos运放
8.4.3 采用推挽输出级的cmos运放
8.4.4 采用衬底npn管输出级的cmos运放
8.4.5 采用共源—共栅输入级的cmos运放
8.5 电压比较器
8.5.1 电压比较器的电压传输特性
8.5.2 差分电压比较器
8.5.3 两级电压比较器
8.6 d/a、a/d变换电路
8.6.1 d/a变换电路
8.6.2 a/d变换电路
本章结束语
练习与思考八

第9章 微机电系统(mems)
9.1 mems器件概念
9.1.1 几种简单的mems结构
9.1.2 集成微系统
9.1.3 多能域问题和复杂性设计问题
9.2 cmos mems
9.2.1 材料的复用性
9.2.2 工艺的兼容性
9.3 mems器件描述与分析
9.3.1 简单梁受力与运动分析
9.3.2 pull?in现象
9.4 mems器件建模与仿真
9.4.1 等效电路建模基础:类比
9.4.2 mems器件等效电路宏模型
9.4.3 器件特性与仿真
本章结束语
练习与思考九
第10章 设计系统与设计技术
10.1 设计系统的组织
10.1.1 管理和支持软件模块
10.1.2 数据库
10.1.3 应用软件
10.2 设计流程与软件的应用
10.2.1 高度自动化的设计
10.2.2 计算机辅助版图设计
10.2.3 单元库设计
10.3 设计综合技术
10.3.1 硬件描述语言hdl
10.3.2 设计优化
10.4 可制造性设计(dfm)
10.4.1 一些特殊的问题
10.4.2 dfm技术示例
本章结束语
参考文献

VLSI设计基础-(第三版) 作者简介

李伟华,1988年硕士毕业后在东南大学电子工程系任教至今。

VLSI设计基础-(第三版)

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