非线性射频和微波器件表征.建模和设计-X参数理论基础
非线性射频和微波器件表征.建模和设计-X参数理论基础作者:鲁特 开 本:16开 书号ISBN:9787121276026 定价:55.0 出版时间:2016-01-01 出版社:电子工业出版社 |
第6章 记忆效应和动态x参数 140
6.1 引言 140
6.2 已调信号:包络域 140
6.3 在包络域中的准静态x参数的估计 141
6.3.1 从静态单音x参数模型描述准静态双音(two-tone)互调失真 142
6.3.2 利用准静态法估计acpr 147
6.3.3 静态法的一些局限性 149
6.3.4 数字调制中准静态x参数的优点 149
6.4 记忆效应的表现 150
6.5 记忆效应的起因 151
6.5.1 自热 151
6.5.2 偏置调制 152
6.6 记忆效应的重要性 155
6.6.1 调制引入的基带记忆和载波记忆 155
6.6.2 动态x参数 156
6.6.3 记忆核辨识:概念的起因 159
6.6.4 记忆核的阶跃响应 160
6.6.5 应用于真实放大器 161
6.6.6 记忆模型的有效性检验 163
6.6.7 动态x参数的解释 167
6.6.8 宽带x参数(xwb) 168
参考文献 173
补充阅读材料 174
附录a 符号和通用定义 175
a.1 集合 175
a.2 矢量和矩阵 175
a.3 信号表示 176
a.3.1 时域信号(实信号) 176
a.3.2 复表示(复包络信号) 176
a.4 傅里叶分析 177
a.5 波定义 178
a.5.1 广义功率波 178
a.5.2 电压波 180
a.6 线性网络矩阵描述 180
a.6.1 s参数 181
a.6.2 z参数 181
a.6.3 y参数 181
附录b x参数和volterra理论 182
b.1 引言 182
b.2 数学符号与问题定义 182
b.3 volterra理论的应用 183
b.4 麦克劳林级数的推导 184
b.5 直流输出的麦克劳林级数 185
b.6 结论 186
附录c 并行hammerstein 模型的对称性 187
附录d 宽带记忆近似 189
附录e 习题解答 191
非线性射频和微波器件表征.建模和设计-X参数理论基础 作者简介
David E. Root 安捷伦科技有限公司研究员。他通过商业化运作,合作领导了Agilent(安捷伦科技有限公司)X参数的研究和开发。他是IEEE 会士,并与他人合作编著了专著Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques (2011)。 Jan Verspecht 安捷伦科技公司主任研究工程师,IEEE 会士,于2006 年发明了X 参数。 Jason Horn 安捷伦科技有限公司资深设计工程师,致力于X参数测量的开发。 Mihal Marcu 安捷伦科技有限公司高级顾问,致力于非线性建模X参数的开发与应用。 林茂六 哈尔滨工业大学电子与信息工程学院二级教授,博士生导师。中国电子学会高级会员,IEEE高级会员。中国电子学会电子测量与仪器分会理事,电子测量与仪器学报编委。研究方向为信息测量理论,非均匀采样信号理论及应用,视频信号处理和无线系统的非线性表征、建模与设计。 苟元潇 1988年出生,2015年获得哈尔滨工业大学博士学位。研究方向为NANV相关领域,包括宽带谐波相位参考设计与定标、微波测量理论以及基于测量的非线性行为模型等。 卢鑫 1986年出生,2013年获得英国华威大学博士学位,现聘任为哈尔滨工业大学讲师,硕士研究生导师。研究方向为非线性测量理论、视频编码标准、数据压缩以及图像和视频信号处理等。
自然科学 物理学 无线电物理学
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