3.7.1激光输出的带宽和能量的稳定性131
3.7.2聚焦的稳定性131
3.7.3对准精度的稳定性132
3 .7.4光刻机停机恢复后的检查134
3.7.5与产品相关的测试134
参考文献135
第4章 光刻材料137
4.1增粘材料138
4.2光刻胶139
4.2.1用于I-线(365nm波长)和G-线(436nm波长)的光刻胶139
4.2.2用于248nm波长的光刻胶141
4.2.3用于193nm波长的光刻胶144
4.2.4用于193nm浸没式光刻的化学放大胶145
4.2.5 193nm光刻胶的负显影工艺155
4.2.6光刻胶发展的方向157
4.2.7光刻胶溶剂的选取162
4.3光刻胶性能的评估164
4.3.1敏感性与对比度165
4.3.2光学常数与吸收系数168
4.3.3光刻胶的Dill参数169
4.3.4科西系数170
4.3.5光刻胶抗刻蚀或抗离子注入的能力171
4.3.6光刻胶的分辨率176
4.3.7光刻胶图形的粗糙度177
4.3.8光刻胶的分辨率、敏感性及其图形边缘粗糙度之间的关系183
4.3.9改善光刻胶图形边缘粗糙度的工艺185
4.3.10光刻胶旋涂的厚度曲线185
4.3.11 Fab对光刻胶的评估186
4.4抗反射涂层1 88
4.4.1光线在界面处的反射理论189
4.4.2底部抗反射涂层191
4.4.3顶部抗反射涂层196
4.4.4可以显影的底部抗反射涂层197
4.4.5旋涂的含Si抗反射涂层202
4.4.6碳涂层205
4.5用于193nm浸没式光刻的抗水涂层 209
4.5.1抗水涂层材料的分子结构210
4.5.2浸出测试和表面接触角211
4.5.3与光刻胶的兼容性 212
4.6有机溶剂和显影液213
4.7晶圆厂光刻材料的管理和规格要求217
4.7.1光刻材料的供应链217
4.7.2材料需求的预报和订购 217
4.7.3光刻材料在匀胶显影机上的配置217
4.7.4光刻材料供应商必须定期提供给Fab的数据218
4.7.5材料的变更220
参考文献220
第5章 掩模版及其管理225
5.1倍缩式掩模的结构225
5.2掩模保护膜227
5.2.1掩模保护膜的功能227
5.2.2保护膜的材质228
5.2.3蒙贴保护膜对掩模翘曲度的影响229
5.2.4保护膜厚度对掩模成像性能的影响230
5.3掩模版的种类232
5.3.1双极型掩模版232
5.3.2相移掩模234
5.3.3交替相移掩模238
5.4掩模的其他技术问题242
5.4.1衍射效率及掩模三维效应(M3D) 242
5.4.2交替相移掩模上孔径之问光强的差别243
5.4.3交替相移掩模用于光学测量244
5.4.4掩模版导致的双折射效应246
5.5掩模发展的技术路线248
5.6掩模图形数据的准备249
5.7掩模的制备和质量控制253
5.7.1掩模基板254
5.7.2掩模上图形的曝光256
5.7.3掩模版刻蚀工艺257
5.7.4掩模的规格参数259
5.7.5掩模缺陷的检查和修补261
5.8掩模的缺陷及其清洗和检测方法263
5.8.1掩模缺陷的分类和处理办法263
5.8.2清洗掩模的方法268
5.8.3掩模缺陷检测的方法270
5.8.4测试掩模的设计273
5.8.5掩模缺陷对成像影响的仿真评估 274
5.9晶圆厂对掩模的管理276
5.9.1晶圆厂与掩模厂的合作276
5.9.2掩模管理系统276
参考文献281
第6章 对准和套刻误差控制285
6.1光刻机的对准操作287
6.1.1对准标识在晶圆上的分布288
6.1.2曝光区域网格的测定 289
6.1.3曝光区域网格的修正 289
6.1.4光刻机的对准操作291
6.2套刻误差测量293
6.2.1套刻误差测量设备 293
6.2.2套刻误差测量的过程 294
6.2.3常用的套刻标识296
6.2.4曝光区域拼接标识299
6.2.5基于衍射的套刻误差测量300
6.3套刻误差测量结果的分析模型与修正反馈303
6.3.1测量结果 303
6.3.2套刻误差的分析模型304
6.3.3对每一个曝光区域进行独立修正 308
6.4先进工艺修正的设置310
6.5导致套刻误差的主要原因31 1
6.5.1曝光时掩模加热变形财套刻误差的影响313
6.5.2负显影工艺中晶圆的热效应对套刻误差的影响314
6.5.3化学研磨对套刻误差的影响315
6.5.4厚胶工艺对套刻误差的影响315
6.5.5掩模之问的对准偏差对晶圆上套刻误差的影响316
6.6产品的对准和套刻测量链316
6.6.1曝光时的对准和套刻误差测量方案316
6.6.2对准与套刻测量不一致导致的问题318
6.6.3单一机器的套刻误差与不同机器之间的套刻误差321
参考文献323
第7章 光学邻近效应修正与计算光刻325
7.1光学模型325
7.1.1薄掩模近似326
7.1.2考虑掩模的三维效应328
7.1.3光学模型的发展方向 330
7.2光刻胶中光化学反应和显影模型331
7.3光照条件的选取与优化333
7.3.1分辨率增强技术 333
7.3.2光源掩模协同优化338
7.4光学邻近效应修正(0PC)343
7.4.1基于经验的光学邻近效应修正344
7.4.2基于模型的光学邻近效应修正347
7.4.3与光刻工艺窗口相关联的邻近效应修正(PWOPC)357
7.4.4刻蚀对OPC的影响358
7.4.5考虑衬底三维效应的OPC模型359
7.4.6考虑光刻胶三维效应的OPC模型360
7.5曝光辅助图形360
7.5.1禁止周期360
7.5.2辅助图形的放置 362
7.5.3基于经验的辅助图形 363
7.5.4基于模型的辅助图形366
7.6反演光刻技术368
7.7坏点(hot spot)的发现和排除368
7.8版图设计规则的优化370
7.8.1设计规则优化原理及流程370
7.8.2设计规则优化实例371
7.8.3设计和工艺的协同优化(DTC0) 373
7.9先导光刻工艺的研发模式374
7.9.1光学邻近效应修正学习循环374
7.9.2光刻仿真软件与OPC软件的区别375
7.9.3掩模制备工艺对OPC的限制 375
参考文献376
第8章 光刻工艺的设定与监控379
8.1工艺标准手册379
8.2测量方法的改进382
8.2.1散射仪测量图形的形貌 382
8.2.2混合测量方法383
8.2.3为控制而设计测量图形的概念384
8.3光刻工艺窗口的确定385
8.3.1 FEM数据分析385
8.3.2晶圆内与晶圆之间线宽的稳定性390
8.3.3光刻胶的损失与切片检查392

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