8.3.4光刻工艺窗口的进一步确认393
8.3.5工艺窗口的再验证394
8.3.6工艺窗口中其他关键图形的行为395
8.4工艺假设与设计手册396
8.5使用FEM晶圆提高良率398
8.6掩模误差增强因子404
8.6.1掩模误差增强因子(MEEF)的定义与测量404
8.6.2减少MEEF的措施406
8.6.3掩模成像时的线性406
8.7光刻工艺的匹配408
8.7.1光刻机之问光照条件的匹配 408
8.7.2掩模之问的匹配412
8.7.3光刻胶之问的匹配413
8.8工艺监控的设置与工艺能力的评估413
8.8.1工艺监控的设置413
8.8.2工艺能力指数Cp和Cpk 414
8.9自动工艺控制的设置415
8.9.1线宽的控制416
8.9.2晶圆内线宽均匀性的控制 418
8.9.3套刻误差的控制419
8.10检查晶圆上的坏点420
参考文献420
第9章 晶圆返工与光刻胶的清除423
9.1晶圆返工的传统工艺423
9.2三层光刻材料(resist/SiARC/SOC)的返工工艺424
9.2.1“干／湿”工艺425
9.2.2去除空白晶圆上的SiARC或SOC 427
9.2.3三层材料中只去除光刻胶429
9.2.4工艺失败后晶圆返工的分流处理430
9.3后道(BEOI)低介电常数材料上光刻层的返工430
9.3.1双大马士革工艺流程 431
9.3.2返工导致Si02 (TEOS)损失432
9.3.3高偏置功率的等离子体会导致衬底受伤433
9.4光刻返工原因的分析433
9.4.1返工常见原因的分类 435
9.4.2快速热处理和激光退火导致晶圆变形436
9.5晶圆返工的管理437
9.6离子注入后光刻胶的清除438
9.6.1技术难点438
9.6.2“干／湿”法去除光刻胶439
9.6.3“湿”法去除光刻胶440
9.6.4些新进展440
参考文献441
第10章 双重和多重光刻技术443
10.1双重曝光技术443
10.1.1X/Y双极照明的双重曝光 444
10.1.2使用反演计算设计双重曝光445
10.2固化**次图形的双重曝光(IFIE)工艺447
10.2.1形成表面保护层的固化技术447
10.2.2使用高温交联光刻胶的固化技术449
10.2.3通孔的合包与分包450
10.2.4其他的固化方案451
10.3双重光刻(LELE)I艺451
10.3.1双沟槽光刻技术451
10.3.2使用负显影实现双沟槽454
10.3.3双线条光刻技术456
10.3.4含Si的光刻胶用于双线条工艺458
10.3.5双线条工艺中SiARC作为硬掩模层458
10.3.6“LE Cut”工艺460
10.3.7光刻机对准偏差和分辨率对LELE工艺的影响461
10.4三重光刻技术(LELELE)463
10.5自对准双重成像技术(SADP)464
10.5.1 a-C做“mandrel”/SiN或Si07做“spacer”/Si07或SiN做硬掩模 468
10.5.2光刻胶图形做“mandrel”/Si01做“spacer”/a-C做硬掩模469
10.5.3 Si07做“mandrel”/TiN做“spacer”/SiN做硬掩模471
10.5.4自对准技术在NAND器件中的应用472
10.5.5自对准的重复使用(SAQP，SAOP) 473
超大规模集成电路先进光刻理论与应用
10.5.6SADP和LE结合实现三重成像 476
10.5.7自对准实现三重图形叠加477
10.5.8“SAMP Cut”工艺478
10.6掩模图形的拆分480
10.6.1适用于LELE工艺的图形拆分 480
10.6.2适用于LELELE工艺的图形拆分484
10.6.3适用于SADP的图形拆分 486
10.7双重显影技术489
参考文献490
第11章 极紫外(EUV)光刻技术494
11.1极紫外光刻机495
11.1.1 EUV反射镜495
11.1.2 EUV光刻机的曝光系统 497
11.1.3光照条件的设置498
11.1.4 EUV光刻机研发进展及技术路线499
11.15更大数值孔径EUV光刻机的技术挑战500
11.2极紫外光源502
11.2.1 EUV光源的结构502
11.2.2光源输出功率与产能的关系504
11.2.3波段外的辐射505
11.3 EUV掩模版507
11.3.1 EUV掩模缺陷的控制510
11.3.2 EUV掩模的清洗512
11.3.3 EUV掩模保护膜的研发 514
11.3.4 EUV空间像显微镜516
11.3.5 EUV相移掩模517
11.4极紫外光刻胶519
11.4.1光刻胶的放气检测5 19
11.4.2 EUV胶的分辨率、图形边缘粗糙度和敏感性521
11.4.3吸收频谱外辐射的表面层材料 526
11.4.4底层材料526
11.5计算光刻在EUV中的应用528
11.5.1 EUV光源与掩模的协同优化529
11.5.2 0PC方法在EUV与DUV中的区别532
11.6极紫外光刻用于量产的分析535
11.6.1极紫外光刻技术的现状 535
11.6.2 EUV光刻中的随机效应535
11.6.3 EUV与193i之问的套刻误差 537
11.6.4实例分析537
参考文献540
中英文光刻术语对照546
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