功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability

首页 > 图书 > 科技/2020-08-01 / 加入收藏 / 阅读 [打印]
功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability

功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability

作者:(德)约瑟夫·卢茨(Joself Lut

开 本:24cm

书号ISBN:9787111640295

定价:150.0

出版时间:2020-01-01

出版社:机械工业出版社

功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 本书特色

本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术,器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件,包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外,还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说,在同类专业书籍中是不多见的。
本书内容新颖,紧跟时代发展,除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外,还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件,颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的*新成果,如SiC,GaN器件,以及场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书,相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。
本书的读者对象包括在校学生、功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书,亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability 目录

目录
译者的话
原书第2版序言
原书第1版序言
常用符号
第1章功率半导体器件——高效电能变换装置中的关键器件1
1?1装置、电力变流器和功率半导体器件1
1?1?1电力变流器的基本原理2
1?1?2电力变流器的类型和功率器件的选择3
1?2使用和选择功率半导体6
1?3功率半导体的应用8
1?4用于碳减排的电力电子设备11
参考文献14
第2章半导体的性质17
2?1引言17
2?2晶体结构19
2?3禁带和本征浓度21
2?4能带结构和载流子的粒子性质24
2?5掺杂的半导体28
2?6电流的输运36
2?6?1载流子的迁移率和场电流36
2?6?2强电场下的漂移速度42
2?6?3载流子的扩散,电流输运方程式和爱因斯坦关系式43
2?7复合?产生和非平衡载流子的寿命45
2?7?1本征复合机理47
2?7?2包含金、铂和辐射缺陷的复合中心上的复合48
2?8碰撞电离64
2?9半导体器件的基本公式70
2?10简单的结论73
2?10?1少数载流子浓度的时间和空间衰减73
2?10?2电荷密度的时间和空间衰减74
参考文献75
第3章pn结80
3?1热平衡状态下的pn结80
3?1?1突变结82
3?1?2缓变结87
3?2pn结的I?V特性90
3?3pn结的阻断特性和击穿97
3?3?1阻断电流97
3?3?2雪崩倍增和击穿电压100
3?3?3宽禁带半导体的阻断能力108
3?4发射区的注入效率109
3?5pn结的电容115
参考文献117
功率半导体器件——原理、特性和可靠性(原书第2版)目录第4章功率器件工艺的介绍119
4?1晶体生长119
4?2通过中子嬗变来调节晶片的掺杂120
4?3外延生长122
4?4扩散124
4?4?1扩散理论,杂质分布124
4?4?2掺杂物的扩散系数和溶解度130
4?4?3高浓度效应,扩散机制132
4?5离子注入134
4?6氧化和掩蔽138
4?7边缘终端140
4?7?1斜面终端结构140
4?7?2平面结终端结构142
4?7?3双向阻断器件的结终端143
4?8钝化144
4?9复合中心145
4?9?1用金和铂作为复合中心145
4?9?2辐射引入的复合中心147
4?9?3Pt和Pd的辐射增强扩散149
4?10辐射引入杂质150
4?11GaN器件工艺的若干问题151
参考文献155
第5章pin二极管160
5?1pin二极管的结构160
5?2pin二极管的I?V特性161
5?3pin二极管的设计和阻断电压162
5?4正向导通特性167
5?4?1载流子的分布167
5?4?2结电压169
5?4?3中间区域两端之间的电压降170
5?4?4在霍尔近似中的电压降171
5?4?5发射极复合、有效载流子寿命和正向特性173
5?4?6正向特性和温度的关系179
5?5储存电荷和正向电压之间的关系180
5?6功率二极管的开通特性181
5?7功率二极管的反向恢复183
5?7?1定义183
5?7?2与反向恢复有关的功率损耗189
5?7?3反向恢复:二极管中电荷的动态192
5?7?4具有*佳反向恢复特性的快速二极管199
5?7?5MOS控制二极管208
5?8展望213
参考文献214
第6章肖特基二极管216
6?1金属?半导体结的能带图216
6?2肖特基结的I?V特性217
6?3肖特基二极管的结构219
6?4单极型器件的欧姆电压降220
6?4?1额定电压为200V和100V的硅肖特基二极管与pin二极管的比较222
6?5SiC肖特基二极管223
6?5?1SiC单极二极管特性223
6?5?2组合pin肖特基二极管226
6?5?3SiC肖特基和MPS二极管的开关特性和耐用性230
参考文献232
第7章双极型晶体管234
7?1双极型晶体管的工作原理234
7?2功率双极型晶体管的结构235
7?3功率晶体管的I?V特性236
7?4双极型晶体管的阻断特性237
7?5双极型晶体管的电流增益239

 1/3    1 2 3 下一页 尾页

工业技术 电子通信 半导体技术

在线阅读

 1/3    1 2 3 下一页 尾页