晶体生长中输运现象及晶体缺陷
晶体生长中输运现象及晶体缺陷作者:方海生 开 本:16开 书号ISBN:9787030611628 定价:168.0 出版时间:2019-06-01 出版社:中国科技出版传媒(原科学) |
8.6 薄膜反应器的优化设计 259
8.6.1 评价标准与优化方案 259
8.6.2 气体分隔入口的影响 261
8.6.3 热部件的研究与优化 263
8.6.4 三维效应研究 281
8.7 薄膜晶体研究总结 284
参考文献 285
第9章 晶体缺陷和热物性的微观研究 289
9.1 分子动力学和**性原理介绍 289
9.1.1 分子动力学模拟方法 289
9.1.2 **性原理简介 295
9.2 微裂纹的研究 298
9.2.1 薄膜开裂临界厚度分析 301
9.2.2 晶面的表面能及断裂韧性 302
9.2.3 小角度晶界的表面能及断裂韧性 307
9.2.4 临界生长厚度和开裂演化模式 312
9.3 位错的形成及演化 315
9.3.1 位错的演化 316
9.3.2 位错的活化能 319
9.3.3 位错形核及运动 328
9.4 **性原理及热物性计算 331
9.4.1 热学性质计算分析 331
9.4.2 单层薄膜导热系数计算中的势函数 334
9.4.3 势函数的拟合方法 337
9.4.4 势函数的评价 339
9.5 本章小结 345
参考文献 347
工业技术 化学工业 一般问题
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