硅中部分位错演化的分子模拟 内容简介

本书以硅锗异质结构外延生长过程中产生的部分位错为研究背景, 采用分子模拟方法研究硅中部分位错的运动特性以及与其它缺陷的相互作用。全书共分为七章, 主要内容包括: 绪论、分子模拟原理及方法简介、30度部分位错的运动特性等。

硅中部分位错演化的分子模拟 目录

第1章  绪论
1.1  硅中位错的研究背景、目的和意义
1.2  硅锗异质结构简介
1.3  失配部分位错的微观结构
1.4  本书的主要内容
第2章  分子模拟原理及方法简介
2.1  引言
2.2  **性原理的基本理论
2.3  紧束缚理论（TB）
2.4  分子动力学方法
2.5  *低能量路径寻找方法
2.6  周期性边界条件
2.7  本章小结
第3章  30度部分位错的运动特性
3.1  引言
3.2  分子动力学参数设定
3.3  30度部分位错的弯结模型
3.4  弯结的运动过程
3.5  弯结的迁移势垒
3.6  结果讨论
3.7  本章小结
第4章  90度部分位错的运动特性
4.1  引言
4.2  DP结构的运动特性
4.3  SP结构的运动特性
4.4  本章小结
第5章  90度部分位错重构缺陷的运动特性
5.1  引言
5.2  模型建立及计算过程
5.3  单周期结构中重构缺陷的运动特性
5.4  双周期结构中重构缺陷的运动特性
5.5  重构缺陷与弯结的相互作用
5.6  本章小结
第6章  空位的**性原理及经验势函数的对比研究
6.1  引言
6.2  计算方法及参数设定
6.3  单空位的结构特性及形成能
6.4  双空位的结构特性及形成能
6.5  六边形空位环的结构特性及形成能
6.6  计算结果分析
6.7  本章小结
第7章  30度部分位错与空位的相互作用
7.1  引言
7.2  计算方法及参数设置
7.3  分子动力学模型
7.4  30度部分位错与单空位的相互作用
7.5  30度部分位错与双空位的相互作用
7.6  30度部分位错与空位环的相互作用
7.7  30度部分位错与空位相互作用的对比研究
7.8  本章小结
参考文献

工业技术 冶金工业

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