附录F Si(100)面干氧和湿氧生长SiO2层的厚度随氧化时间和温度的变化关系 397
附录G 某些杂质在Si中的固溶度 398
附录H 某些杂质在Si和SiO2中的扩散系数 399
附录I Si中离子注入的射程与射程偏差随注入能量的变化关系 400
部分自测题答案 401
术语表 403

固态电子器件-(第七版) 作者简介

Ben G. Streetman，IEEE、美国国家工程院院士、美国艺术与科学院院士、美国电化学学会（ECS）会士。现任美国得克萨斯大学?W斯汀分校工程学院名誉院长。他是该校电气与计算机工程退休教授，也是该校微电子研究中心的创始人和第一任主任（1984—1996年）。Streetman教授的教学领域和研究兴趣主要涉及半导体材料与半导体器件。Sanjay Kumar Banerjee，IEEE，美国得克萨斯大学?W斯汀分校电气与计算机工程科克雷尔讲座教授，现任该校微电子研究中心主任。
Ben G. Streetman，IEEE、美国国家工程院院士、美国艺术与科学院院士、美国电化学学会（ECS）会士。现任美国得克萨斯大学?W斯汀分校工程学院名誉院长。他是该校电气与计算机工程退休教授，也是该校微电子研究中心的创始人和第一任主任（1984—1996年）。Streetman教授的教学领域和研究兴趣主要涉及半导体材料与半导体器件。Sanjay K. Banerjee，IEEE，美国得克萨斯大学?W斯汀分校电气与计算机工程科克雷尔讲座教授，现任该校微电子研究中心主任。

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