集成功率器件设计及TCAD仿真
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集成功率器件设计及TCAD仿真作者：付越 开 本：16开 书号ISBN：9787111592730 定价：125.0 出版时间：2018-05-01 出版社：机械工业 |
１０.４.３ 具有掺杂的ＡｌＧａＮ或ＧａＮ层的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构２９１
１０.４.４ 具有金属接触的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构２９２
１０.５ 在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构中的陷阱２９３
１０.６ 一个简单的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ ２９４
１０.６.１ 器件结构２９４
１０.６.２ ＧａＮ ＨＥＭＴ的ＩＤ －ＶＧ曲线２９６
１０.６.３ 小结２９７
１０.７ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ例子Ⅰ ２９８
１０.７.１ 器件结构２９８
１０.７.２ ＧａＮ材料的碰撞电离系数３００
１０.７.３ ＧａＮＨＥＭＴ器件的击穿仿真３００
１０.８ ＧａＮ功率ＨＥＭＴ范例Ⅱ ３０１
１０.９ ＧａＮ ＨＥＭＴ器件的栅极漏电流的仿真３０２
１０.９.１ 器件结构３０２
１０.９.２ 模型和仿真设置３０３
１０.９.３ 栅极泄漏电流仿真３０５
１０.１０ 化合物半导体电力应用的市场前景３０６
附录Ａ 载流子统计３０８
附录Ｂ 载流子统计３０９
附录Ｃ 陷阱动力学和ＡＣ分析３２０
工业技术 电子通信 微电子学、集成电路（IC）
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