14.1 Introduction 267

14.2 Ge2Sb2Te5 and Its Properties’ Improvement 268

14.2.1 Ge2Sb2Te5 Phase Change Material 268

14.2.2 N-Doped Ge2Sb2Te5 Material 270

14.2.3 C-Doped Ge2Sb2Te5 Material 272

14.2.3.1 Film Properties and Microstructure Characteristics 272

14.2.3.2 Reversible Phase Change Characteristics of C-Doped Ge2Sb2Te5 274

14.3 High-Speed and Lower-Power TiSbTe Materials 277

14.3.1 Film Properties and Microstructure Characteristics 277

14.3.1.1 Ti-Doped Sb2Te Materials 277

14.3.1.2 Ti-Doped Sb2Te3 Materials 278

14.3.2 Reversible Phase Change Characteristics of TST Alloy 280

14.4 Summary 283

Acknowledgments 283

References 283



15 Nanomaterials and Devices on Flexible Substrates 285

Hulin Zhang

15.1 Introduction 285

15.2 Nanomaterials on Flexible Substrates 286

15.2.1 Nanomaterials Synthesized Directly on Flexible Substrates 286

15.2.2 Nanomaterials Transferred on Flexible Substrates 290

15.3 Devices on Flexible Substrates 292

15.3.1 Printing Electronics on Flexible Substrates 293

15.3.2 Biointegrated Electronics on Flexible Substrates 298

15.4 Summary 300

Acknowledgments 301

References 301



Index 305

先进纳米薄膜材料-制备方法及应用 作者简介

林媛教授于1999年在中国科技大学获得凝聚态物理学博士，之后分别在北京中科院物理所、美国休斯顿大学和美国洛萨莫斯国家实验室进行博士后研究，并在美国Intel公司担任高级工程师。目前，她是电子科技大学的长江学者特聘教授。她在薄膜和纳米材料领域研究了近20年，包括使用脉冲激光沉积法、磁控溅射法和化学溶液法制备各种薄膜材料并开展其性能和应用的研究。林媛教授已发表90余篇学术论文和获得授权13项专利。

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