电子元器件权威技术指南-(图文版)

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电子元器件权威技术指南-(图文版)

电子元器件权威技术指南-(图文版)

作者:约阿希姆.N.伯格哈特

开 本:32开

书号ISBN:9787115430922

定价:129.0

出版时间:2016-11-01

出版社:人民邮电出版社

电子元器件权威技术指南-(图文版) 本书特色

这本书是非常先进的电子器件的简洁的指南,由EDS的67位专家成员撰写。在全书21章中,专家们分享了它们在电子器件各个领域的专业知识。这些章节描述了各种各样的电子器件,这种多样性也正是EDS面临的现实。来自产业界、学术界、政府部门的专家对本书也有诸多贡献。作者来自五大洲,这是一个真正优秀的团队,包括了优秀的管理者、年轻的工程师、知名名的大学教授和年轻的学者。编辑因此试图保持明显不同的风格,以反应区域、背景和隶属关系的差异。

电子元器件权威技术指南-(图文版) 内容简介

1.由美国电子设备学会(Electron Devices Society,简称EDS)和美国电气和电子工程师协会(IEEE)联合打造,权威性高。2.多位大师级的电子学专家倾力讲解,影响力广泛。3.覆盖多个电子学领域,内容丰富。4.包含**前沿的电子学技术以及发展趋势展望

电子元器件权威技术指南-(图文版) 目录


导言
对本书有贡献者
致谢
介绍:发展历史

**部分:基本电子设备
1 双极晶体管
 John D. Cressler and Katsuyoshi Washio
1.1 动机
1.2 pn结及其电子应用
1.3 双极结晶体管及其电子应用
1.4 双极晶体管的优化
1.5硅锗异质结双极晶体管序
导言
对本书有贡献者
致谢
介绍:发展历史

**部分:基本电子设备
1 双极晶体管
John D. Cressler and Katsuyoshi Washio
1.1 动机
1.2 pn结及其电子应用
1.3 双极结晶体管及其电子应用
1.4 双极晶体管的优化
1.5硅锗异质结双极晶体管
参考文献
2 MOSFETs
Hiroshi Iwai, Simon Min Sze, Yuan Taur and Hei Wong
2.1 MOSFET介绍
2.2 MOSFET基础
2.3 MOSFET演化
2.4 结束语
参考文献
3 内存设备
Kinam Kim and Dong Jin Jung
3.1 介绍
3.2 挥发性存储器
3.3 非挥发性存储器
3.4 MOS存储展望
3.5 结束语
参考文献
4 被动元件
Joachim N. Burghartz and Colin C. McAndrew
4.1 离散和集成的被动元件
4.2 模拟IC和DRAM应用
4.3 案例研究----平面螺旋电感
4.4 集成电路中的寄生应用
参考文献
5 新兴设备
Supriyo Bandyopadhyay, Marc Cahay and Avik W. Ghosh
5.1 不可充电开关
5.2 硅的替代物碳和石墨烯电子学和分子电子学的兴起
5.3 结束语
参考文献

第二部分 电子设备和IC制造
6 电子材料
James C. Sturm, Ken Rim, James S. Harris and Chung-Chih Wu
6.1 介绍
6.2 硅设备技术
6.3 化合物半导体设备
6.3.1 金属半导体场效应晶体管(MESFETs)
6.3.2 高电子移动性晶体管(HEMTs)
6.3.3 异质结双极晶体管(HBT)
6.3.4 光电器件

6.4 电子显示
6.4.1 1930-2000年代:阴极射线管(CRT)
6.4.2 1990-2000年代:等离子平板显示器(PDP)
6.4.3 1990年代-现在:有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和电泳墨水(E-ink)
6.4.4 2000年-现在:有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)

6.5 结束语
参考文献
7 紧凑建模
Colin C. McAndrew and Laurence W. Nagel
7.1 紧凑模型的角色
7.2 双极晶体管紧凑建模
7.3 MOS晶体管紧凑建模
7.4 无源器件的紧凑建模
7.5 基准测试和实践
参考文献
8 计算机辅助设计(CAD)技术
David Esseni, Christoph Jungemann, J¨urgen Lorenz, Pierpaolo Palestri,
Enrico Sangiorgi and Luca Selmi
8.1 介绍
8.2 飘移扩散模型
8.3 微观传输模型
8.4 数量传输模型
8.5 过程和设备仿真
参考文献
9 电子设备、连接和电路的可靠性
Anthony S. Oates, Richard C. Blish, Gennadi Bersuker and Lu Kasprzak
9.1 介绍和背景
9.2 设备可靠性描述
9.3 电路级可靠性描述
9.3.1 单事件翻转引起的软故障
9.3.2 IC中的机械应力效应
9.4 保证IC可靠性的微观方法
参考文献
10 半导体制造
Rajendra Singh, Luigi Colombo, Klaus Schuegraf, Robert Doering and Alain Diebold
10.1 介绍
10.2 摘要
10.3 光刻和蚀刻
10.4 前端处理
10.5 后端处理
10.6 过程控制
10.7 装配和测试
10.8 发展方向
参考文献

第三部分 基于电子设备的应用
11 VLSI技术和电路
Kaustav Banerjee and Shuji Ikeda
11.1 介绍
11.2 MOSFET扩展技术
11.3 低耗高速逻辑设计

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