半导体物理性能手册-第2卷-(下册)
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半导体物理性能手册-第2卷-(下册)作者：足立贞夫 开 本：16开 书号ISBN：9787560345178 定价：248.0 出版时间：2014-04-01 出版社：哈尔滨工业大学出版社 |
10.11.1 elastooptic effect
10.11.2 linear electrooptic constant
10.11.3 quadratic electrooptic constant
10.11.4 franz-keldysh effect
10.11.5 nonlinear optical constant
10.12 carrier transport properties
10.12.1 low-field mobility: electrons
10.12.2 low-field mobility: holes
10.12.3 high-field transport: electrons
10.12.4 high-field transport: holes
10.12.5 minority-carrier transport: electrons inp-type materials
10.12.6 minority-carrier transport: holes in n-type materials
10.12.7 impact ionization coefficient
11 cubic gallium nitride(b-gan)
12 gallium phosphide(gap)
13 gallium arsenide(gaas)
14 gallium antimonide(gasb)
15 indium nitride(inn)
16 indium phosphide(inp)
17 indium arsendide(inas)
18 indium antimonide(insb)
工业技术 电子通信 半导体技术
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