半导体物理性能手册-第3卷-(下册)

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半导体物理性能手册-第3卷-(下册)

半导体物理性能手册-第3卷-(下册)

作者:足立贞夫

开 本:16开

书号ISBN:9787560345192

定价:138.0

出版时间:2014-04-01

出版社:哈尔滨工业大学出版社

半导体物理性能手册-第3卷-(下册) 本书特色

  《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能,包括:structuralproperties结构特性thermalproperties热学性质elasticproperties弹性性质phononsandlatticevibronicproperties声子与晶格振动性质collectiveeffectsandrelatedproperties集体效应及相关性质energy-bandstructure:energy-bandgaps能带结构:能带隙energy-bandstructure:electronandholeeffectivemasses能带结构:电子和空穴的有效质量electronicdeformationpotential电子形变势electronaffinityandschottkybarrierheight电子亲和能与肖特基势垒高度opticalproperties光学性质elastooptic,electrooptic,andnonlinearopticalproperties弹光、电光和非线性光学性质cartiertransportproperties载流子输运性质适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生,以及从事半导体研究的专业人员。

半导体物理性能手册-第3卷-(下册) 目录

prefaceacknowledgementscontents of other volumes10 cubic cadmium sulphide (c-cds)11 wurtzite cadmium sulphide (w-cds)12 cubic cadmium selenide (c-cdse)13 wurtzite cadmium selenide (w-cdse)14 cadmium telluride (cdte)15 cubic mercury sulphide (β-hgs)16 mercury selenide (hgse)17 mercury telluride (hgte)
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