纳米半导体器件与技术

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纳米半导体器件与技术

纳米半导体器件与技术

作者:印纽斯基

开 本:16开

书号ISBN:9787118090789

定价:95.0

出版时间:2013-12-01

出版社:国防工业出版社

纳米半导体器件与技术 本书特色

     《纳米半导体器件与技术》(作者印纽斯基)这本 书由来自工业界和学术界的国际顶级专家参与撰写, 是 一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。      《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从 标准的cmos硅工艺到新型器件结构的演变,包括碳纳 米管、 石墨烯、量子点、iii-v族材料。本书涉及纳米电子 器件的研究现状,提供了包罗万象的关 于材料和器件结构的资源.包括从微电子到纳电子的 革命。      本书分三个部分: 半导体材料(例如,碳纳米管,忆阻器及自旋有 机器件); 硅器件与技术(如bicmos,soi,各种三维集成和 ram技术.以及太阳能电池); 复合半导体器件与技术。      本书探索了能够在微电子系统性能上超越传统 cmos的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳 米管的电子输运gan hemts技术及应用。针对万亿美 元纳米技术产业的真实市场需求和技 术壁垒,本书提供了新型元器件结构的重要信息.而 这将使其向未来的发展迈出一大步。

纳米半导体器件与技术 目录

**部分 半导体材料
第1章 碳纳米管中的电子运动:从电子动力学到电路模型
 1.1 引言
 1.2 碳纳米管的电子动力学
 1.2.1 概述
 1.2.2 碳纳米管的能带结构
 1.2.3 碳纳米管的构造
 1.2.4 单壁和多壁碳纳米管中有效的沟道数量
 1.3 电磁学中的应用:碳纳米管作为一种新型的散射材料
 1.3.1 概述
 1.3.2 碳纳米管散射的电磁学模型
 1.4 电路中的应用:碳纳米管作为一种新型的互连材料
 1.4.1 纳米级互连中的碳纳米管
 1.4.2 碳纳米管互连的tl模型
 1.4.3 束状碳纳米管作为新型的芯片封装的互连材料
 1.5 结论
 参考文献
第2章 碳纳米管与cmos的单片集成
第3章 便捷的、可扩展的外围电化学方法制备二氧化钛忆阻器
第4章 有机半导体中的自旋传输:*初八年的简要概述
第二部分 硅器件和技术
第5章 sigc bicmos技术与器件
第6章 新型的高性能低功耗器件范例:极限fdsoi多栅mosfet和多势垒促进栅极共振隧穿fet
第7章 三维芯片集成技术的发展
第8章 嵌入式stt—mram
第9章 非易挥发性存储器件:阻变存储器
第10章 dram技术
第11章 单晶硅太阳能电池的优化和模型
第12章 硅器件的辐射效应
第三部分 复合半导体器件与技术
第13章 使用直接生长技术的gan/ingan双异质结双极晶体管
第14章 氮化镓高电子迁移率晶体管技术与应用
第15章 基于can的金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管的表面处理、工艺和性能
第16章 下一代高功率/高温器件——大尺度硅衬底氮化镓基hemt器件
第17章 应用于手机终端的砷化镓异质结双极型晶体管及功率放大器设计
第18章 ⅲ族氯化物的负微分电阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半导体子能带光电学的新发展
纳米半导体器件与技术

工业技术 电子通信 半导体技术

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