10.1硅光敏二极管
10.2锗光敏二极管
10.3锗化硅光敏二极管
参考文献
第11章　非本征硅和锗探测器
11.1非本征探测技术
11.2非本征光电探测器的工作特性
11.3非本征光电导体的性能
11.3.1硅掺杂光电导体
11.3.2锗掺杂光电导体
11.4受阻杂质带器件
11.5固态光电倍增管
参考文献
第12章　光电发射探测器
12.1内光电发射过程
12.1.1散射效应
12.1.2暗电流
12.1.3金属电极
12.2肖特基势垒探测器截止波长的控制
12.3肖特基势垒探测器的结构优化和制造
12.4新型内光电发射探测器
12.4.1异质结内光电发射探测器
12.4.2同质结内光电发射探测器
参考文献
第13章　ⅲ?v族（元素）探测器
13.1ⅲ?v族窄带隙半导体的物理性质
13.2ingaas 光敏二极管
13.2.1p?i?n ingaas光敏二极管
13.2.2ingaas 雪崩光敏二极管
13.3.1insb光电导探测器
13.3.2insb 光电磁探测器
13.3.3insb 光敏二极管
13.3.4inas 光敏二极管
13.3.5insb 非平衡光敏二极管
13.4三元和四元ⅲ?v探测器
13.4.1inassb探测器
13.4.1.1inassb光电导体
13.4.1.2inassb光敏二极管
13.4.2以gasb三元和四元合金为基础的光敏二极管
13.5以sb为基础的新型ⅲ?v窄带隙光电探测器
13.5.1intlsb和intlp
13.5.2insbbi
13.5.3insbn
参考文献
第14章　碲镉汞（hgcdte）探测器
14.1hgcdte探测器的发展史
14.2hgcdte材料：技术和性质
14.2.1相图
14.2.2晶体生长技术
14.2.3缺陷和杂质
14.2.3.1固有缺陷
14.2.3.2掺杂物
14.3hgcdte的基本性质
14.3.1能带隙
14.3.2迁移率
14.3.3光学性质
14.3.4热生成?复合过程
14.3.4.1肖克莱?里德过程
14.3.4.2辐射过程
14.3.4.3俄歇过程
14.4俄歇效应为主的光电探测器性能
14.4.1平衡型器件
14.4.2非平衡型器件
14.5光电导探测器
14.5.1探测技术
14.5.2光电导探测器的性能
14.5.2.1工作在温度77k的器件
14.5.2.2工作温度高于77k的器件
14.5.3俘获模式光电导体
14.5.4排斥光电导体
14.5.5扫积型探测器
14.6光伏探测器
14.6.1结的形成
14.6.1.1hg向内扩散
14.6.1.2离子束铣
14.6.1.3离子植入
14.6.1.4反应离子刻蚀
14.6.1.5生长期间掺杂
14.6.1.6钝化
14.6.1.7接触层金属化工艺
14.6.2对hgcdte光敏二极管性能的主要限制
14.6.3对hgcdte光敏二极管性能的次要限制
14.6.4雪崩光敏二极管
14.6.5俄歇抑制光敏二极管
14.6.6金属?绝缘体?半导体光敏二极管
14.6.7肖特基势垒光敏二极管
14.7hg基探测器
14.7.1晶体生长
14.7.2物理性质
14.7.3hgznte光电探测器
14.7.4hgmnte光电探测器
参考文献
第15章　iv?ⅵ族（元素）探测器
15.1材料制备和性质
15.1.1晶体生长
15.1.2缺陷和杂质
15.1.3物理性质
15.1.4生成?复合过程
15.2多晶光电导探测器
15.2.1多晶铅盐的沉积
15.2.2制造技术
15.2.3性能
15.3p?n结光敏二极管
15.3.1性能限
15.3.2技术和性质
15.3.2.1扩散光敏二极管
15.3.2.2离子植入
15.3.2.3异质结
15.4肖特基势垒光敏二极管
15.4.1肖特基势垒的相关争议问题
15.4.2技术和性质
15.5非寻常薄膜光敏二极管
15.6可调谐谐振腔增强型探测器
15.7铅盐与hgcdte
参考文献
第16章　量子阱红外光电探测器
16.1低维固体：基础知识
16.2多量子阱和超晶格结构
16.2.1成分超晶格结构
16.2.2掺杂超晶格结构
16.2.3子带间光学跃迁
16.2.4子带间弛豫时间
16.3光电导量子阱红外光电探测器
16.3.1制造技术
16.3.2暗电流
16.3.3光电流
16.3.4探测器性能
16.3.5量子阱红外光电探测器与碲镉汞探测器
16.4光伏量子阱红外光电探测器
16.5超晶格微带量子阱红外光电探测器
16.6光耦合
16.7其它相关器件
16.7.1p类掺杂gaas/algaas 量子阱红外光电探测器
16.7.2热电子晶体管探测器
16.7.3sige/si量子阱红外光电探测器
16.7.4采用其它材料体系的量子阱红外光电探测器
16.7.5多色探测器
16.7.6集成发光二极管量子阱红外光电探测器
参考文献
第17章　超晶格红外探测器
第18章　量子点红外光电探测器
第ⅳ部分　焦平面阵列
第19章　焦平面阵列结构概述
第20章　热探测器焦平面阵列
第21章　光子探测器焦平面阵列
第22章　太赫兹探测器和焦平面阵列
第23章　第三代红外探测器

红外探测器-(原书第2版) 作者简介

译者序 原书前言 致谢 作者简介 目录第Ⅰ部分红外探测技术的基础知识 第1章　辐射度学 1.1辐射度学和光度学的相关量和单位 1.2辐射度学物理量的定义 1.3辐射率 1.4黑体辐射 1.5发射率（比辐射率） 1.6红外光学系统 1.7红外系统辐射度学的相关概念 1.7.1夜视系统 1.7.2大气透射和红外光谱 1.7.3景物辐射和对比度 参考文献 第2章　红外探测器的性质 2.1 现代红外技术的发展史 2.2红外探测器分类 2.3红外探测器制冷 2.3.1低温杜瓦瓶 2.3.2焦耳?汤普森制冷器 2.3.3斯特林循环制冷技术 2.3.4珀耳帖制冷器 2.4探测器的品质因数 2.4.1响应度 2.4.2噪声等效功率 2.4.3探测率 2.5基本的探测率极限 参考文献 第3章　红外探测器的基本性能极限 3.1热探测器 3.1.1工作原理 3.1.2噪声机理 3.1.3比探测率和基本极限 3.2光子探测器 3.2.1光子探测过程 3.2.2光子探测器的理论模型 3.2.2.1光学生成噪声 3.2.2.2热生成和复合噪声 3.2.3光电探测器的最佳厚度 3.2.4探测器材料的品质因数 3.2.5减小器件体积以提高性能 3.3光子和热探测器基本限制的比较 3.4光电探测器的建模 参考文献 第4章　外差式探测技术 参考文献 第Ⅱ部分红外热探测器 第5章　温差电堆 5.1温差电堆的基本工作原理 5.2品质因数 5.3热电材料 5.4利用微机械技术制造温差电堆 5.4.1设计优化 5.4.2温差电堆的结构布局 5.4.3微温差电堆技术 参考文献 第6章　测辐射热计 6.1测辐射热计的基本工作原理 6.2测辐射热计类型 6.2.1金属测辐射热计 6.2.2热敏电阻 6.2.3半导体测辐射热计 6.2.4微型室温硅测辐射热计 6.2.4.1测辐射热计的传感材料 6.2.4.2氧化钒 6.2.4.3非晶硅 6.2.4.4硅二极管 6.2.4.5其它材料 6.2.5超导测辐射热计 6.2.6高温超导测辐射热计 6.3热电子测辐射热计 参考文献 第7章　热释电探测器 7.1热释电探测器的基本工作原理 7.1.1响应度 7.1.2噪声和探测率 7.2热释电材料选择 7.2.1单晶 7.2.2热释电聚合物 7.2.3热释电陶瓷 7.2.4电介质测辐射热计 7.2.5材料选择 7.3热释电摄像机 参考文献 第8章　新型热探测器 8.1高莱辐射计 8.2新型非制冷探测器 8.2.1电耦合悬臂梁结构 8.2.2光学耦合悬臂梁结构 8.2.3热?光传感器 8.2.4天线耦合微测辐射热计 8.3热探测器性能比较 参考文献 第Ⅲ部分　红外光子探测器 第9章　光子探测器理论 9.1光电导探测器 9.1.1本征光电导理论 9.1.1.1扫出效应 9.1.1.2光电导体中的噪声机理 9.1.1.3量子效率 9.1.1.4光电导体的最终性质 9.1.1.5背景影响 9.1.1.6表面复合的影响 9.1.2非本征光电导理论 9.1.3本征和非本征红外探测器的工作温度 9.2p?n结光敏二极管 9.2.1理想扩散限p?n结 9.2.1.1扩散电流 9.2.1.2量子效率 9.2.1.3噪声 9.2.1.4比探测率 9.2.2实际的p?n结 9.2.2.1生成?复合电流 9.2.2.2隧穿电流 9.2.2.3表面漏电流 9.2.2.4空间电荷限电流 9.2.3响应时间 9.3p?i?n光敏二极管 9.4雪崩光敏二极管 9.5肖特基势垒光敏二极管 9.5.1肖特基?莫特理论及其修正 9.5.2电流传输过程 9.5.3硅化物 9.6金属?半导体?金属光敏二极管 9.7金属?绝缘体?半导体光敏二极管 9.8非平衡光敏二极管 9.9nBn探测器 9.10光电磁、磁致浓差和登伯探测器 9.10.1光电磁探测器 9.10.1.1光电磁效应 9.10.1.2利乐解 9.10.1.3制造技术和性能 9.10.2磁致浓差探测器 9.10.3登伯探测器 9.11光子牵引探测器 参考文献 第10章　本征硅和锗探测器 10.1硅光敏二极管 10.2锗光敏二极管 10.3锗化硅光敏二极管 参考文献 第11章　非本征硅和锗探测器 11.1非本征探测技术 11.2非本征光电探测器的工作特性 11.3非本征光电导体的性能 11.3.1硅掺杂光电导体 11.3.2锗掺杂光电导体 11.4受阻杂质带器件 11.5固态光电倍增管 参考文献 第12章　光电发射探测器 12.1内光电发射过程 12.1.1散射效应 12.1.2暗电流 12.1.3金属电极 12.2肖特基势垒探测器截止波长的控制 12.3肖特基势垒探测器的结构优化和制造 12.4新型内光电发射探测器 12.4.1异质结内光电发射探测器 12.4.2同质结内光电发射探测器 参考文献 第13章　Ⅲ?V族（元素）探测器 13.1Ⅲ?V族窄带隙半导体的物理性质 13.2InGaAs 光敏二极管 13.2.1p?i?n InGaAs光敏二极管 13.2.2InGaAs 雪崩光敏二极管 13.3.1InSb光电导探测器 13.3.2InSb 光电磁探测器 13.3.3InSb 光敏二极管 13.3.4InAs 光敏二极管 13.3.5InSb 非平衡光敏二极管 13.4三元和四元Ⅲ?V探测器 13.4.1InAsSb探测器 13.4.1.1InAsSb光电导体 13.4.1.2InAsSb光敏二极管 13.4.2以GaSb三元和四元合金为基础的光敏二极管 13.5以Sb为基础的新型Ⅲ?V窄带隙光电探测器 13.5.1InTlSb和InTlP 13.5.2InSbBi 13.5.3InSbN 参考文献 第14章　碲镉汞（HgCdTe）探测器 14.1HgCdTe探测器的发展史 14.2HgCdTe材料：技术和性质 14.2.1相图 14.2.2晶体生长技术 14.2.3缺陷和杂质 14.2.3.1固有缺陷 14.2.3.2掺杂物 14.3HgCdTe的基本性质 14.3.1能带隙 14.3.2迁移率 14.3.3光学性质 14.3.4热生成?复合过程 14.3.4.1肖克莱?里德过程 14.3.4.2辐射过程 14.3.4.3俄歇过程 14.4俄歇效应为主的光电探测器性能 14.4.1平衡型器件 14.4.2非平衡型器件 14.5光电导探测器 14.5.1探测技术 14.5.2光电导探测器的性能 14.5.2.1工作在温度77K的器件 14.5.2.2工作温度高于77K的器件 14.5.3俘获模式光电导体 14.5.4排斥光电导体 14.5.5扫积型探测器 14.6光伏探测器 14.6.1结的形成 14.6.1.1Hg向内扩散 14.6.1.2离子束铣 14.6.1.3离子植入 14.6.1.4反应离子刻蚀 14.6.1.5生长期间掺杂 14.6.1.6钝化 14.6.1.7接触层金属化工艺 14.6.2对HgCdTe光敏二极管性能的主要限制 14.6.3对HgCdTe光敏二极管性能的次要限制 14.6.4雪崩光敏二极管 14.6.5俄歇抑制光敏二极管 14.6.6金属?绝缘体?半导体光敏二极管 14.6.7肖特基势垒光敏二极管 14.7Hg基探测器 14.7.1晶体生长 14.7.2物理性质 14.7.3HgZnTe光电探测器 14.7.4HgMnTe光电探测器 参考文献 第15章　IV?Ⅵ族（元素）探测器 15.1材料制备和性质 15.1.1晶体生长 15.1.2缺陷和杂质 15.1.3物理性质 15.1.4生成?复合过程 15.2多晶光电导探测器 15.2.1多晶铅盐的沉积 15.2.2制造技术 15.2.3性能 15.3p?n结光敏二极管 15.3.1性能限 15.3.2技术和性质 15.3.2.1扩散光敏二极管 15.3.2.2离子植入 15.3.2.3异质结 15.4肖特基势垒光敏二极管 15.4.1肖特基势垒的相关争议问题 15.4.2技术和性质 15.5非寻常薄膜光敏二极管 15.6可调谐谐振腔增强型探测器 15.7铅盐与HgCdTe 参考文献 第16章　量子阱红外光电探测器 16.1低维固体：基础知识 16.2多量子阱和超晶格结构 16.2.1成分超晶格结构 16.2.2掺杂超晶格结构 16.2.3子带间光学跃迁 16.2.4子带间弛豫时间 16.3光电导量子阱红外光电探测器 16.3.1制造技术 16.3.2暗电流 16.3.3光电流 16.3.4探测器性能 16.3.5量子阱红外光电探测器与碲镉汞探测器 16.4光伏量子阱红外光电探测器 16.5超晶格微带量子阱红外光电探测器 16.6光耦合 16.7其它相关器件 16.7.1p类掺杂GaAs/AlGaAs 量子阱红外光电探测器 16.7.2热电子晶体管探测器 16.7.3SiGe/Si量子阱红外光电探测器 16.7.4采用其它材料体系的量子阱红外光电探测器 16.7.5多色探测器 16.7.6集成发光二极管量子阱红外光电探测器 参考文献 第17章　超晶格红外探测器 第18章　量子点红外光电探测器 第Ⅳ部分　焦平面阵列 第19章　焦平面阵列结构概述 第20章　热探测器焦平面阵列 第21章　光子探测器焦平面阵列 第22章　太赫兹探测器和焦平面阵列 第23章　第三代红外探测器

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