集成电路版图设计
集成电路版图设计作者:陆学斌 开 本:16开 书号ISBN:9787301212356 定价:36.0 出版时间:2012-11-01 出版社:北京大学出版社 |
集成电路版图设计 本书特色
《集成电路版图设计》从半导体器件理论基础入手,在讲授集成电路制造工艺的基础上,循序渐进地介绍了集成电路版图设计的基本原理与方法。本书的一个突出特点是:全书在讲解版图设计的过程中,尽量减少复杂的理论讲解,并将理论讲解和工艺实践经验相结合,使读者能够明白版图设计是科学和经验两者的有机结合。本书在一些重要章节的*后小节中都增加了设计规则或相关设计经验的介绍,无论是对新手还是对有经验的设计者来说都非常有帮助。而且书中的实例都是作者多年实践的结果,极具指导性。本书由陆学斌主编。
集成电路版图设计 内容简介
《集成电路版图设计》主要介绍集成电路版图设计,主要内容包括半导体器件和集成电路工艺的基本知识,集成电路常用器件的版图设计方法,流行版图设计软件的使用方法,版图验证的流程,以及集成电路版图实例等。 《集成电路版图设计》适合作为高等学校微电子技术专业和集成电路设计专业版图设计课程的教材,也可作为集成电路版图设计者的参考书。 本书由陆学斌主编。
集成电路版图设计 目录
第1章 半导体器件理论基础 1.1 半导体的电学特性 1.1.1 品格结构与能带 1.1.2 电子与空穴 1.1.3 半导体中的杂质 1.1.4 半导体的导电性 1.2 pn结的结构与特性 1.2.1 pn结的结构 1.2.2 pn结的电压电流特性 1.2.3 pn结的电容 1.3 mos场效应晶体管 1.3.1 mos场效应晶体管的结构与工作原理 1.3.2 mos管的电流电压特性 1.3.3 mos管的电容 1.4 双极型晶体管 1.4.1 双极型晶体管的结构与工作原理 1.4.2 双极型晶体管的电流传输 1.4.3 双极型晶体管的基本性能参数 本章小结 第2章 集成电路制造工艺 2.1 硅片制备 2.1.1 单晶硅制备 2.1.2 硅片的分类 2.2 外延工艺 2.2.1 概述 2.2.2 外延工艺的分类与用途 2.3 氧化工艺 2.3.1 二氧化硅薄膜概述 2.3.2 硅的热氧化 2.4 掺杂工艺 2.4.1 扩散 2.4.2 离子注入 2.5 薄膜制备工艺 2.5.1 化学气相淀积 2.5.2 物理
工业技术 电子通信 微电子学、集成电路(IC)
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