CMOS电路活用技巧 内容简介

　　 本书以cmos的*小构成电路反相器为焦点,介绍cmos器件的特点、结构、设计规则及制造方法。以标准逻辑电路为例，介绍了组合逻辑电路、时序逻辑电路的定义、基本电路结构及其应用举例。进而，介绍了接口的技巧和目前备受关注的模拟技术等。本书还涉及大规模集成电路(lsi)的话题，介绍其分类及发展趋势，以及asic和存储器的基本技术。

CMOS电路活用技巧 目录

第1章  cmos器件的现状   1.1 半导体器件的分类   1.2 cmos器件的特征   1.3 cmos产品的种类和特点 第2章  cmos的结构   2.1 cmos的结构   2.2 设计规则   2.3 cmos的制造工程     2.3.1 衬底材料的制作     2.3.2 前工序     2.3.3 后工序 第3章  cmos的基本特性与逻辑电路的基本结构   3.1 cmos的基本特性     3.1.1 n-ch mos fet的特性表达式     3.1.2 p-ch mos fet的特性表达式     3.1.3 cmos反相器的特性     3.1.4 逻辑阈值电压     3.1.5 过渡区中的输出电压     3.1.6 电阻近似   3.2 cmos的特点     3.2.1 功率消耗小     3.2.2 能够在低电压下工作/工作电压范围宽     3.2.3 噪声余量大     3.2.4 容易集成化     3.2.5 输入阻抗高     3.2.6 基于输入电容的初次记忆   3.3 基本逻辑电路   3.4 正逻辑与负逻辑   3.5 基本电路     3.5.1 反相器     3.5.2 nand门     3.5.3 nor门     3.5.4 and，or门     3.5.5 传输门     3.5.6 时钟脉冲门     3.5.7 exclusiveor/nor门     3.5.8 触发器

CMOS电路活用技巧 作者简介

　　大幸秀成 　　1982年毕业于爱媛大学电气工程专业，进入东京芝浦电气株式会社（现在的东芝）半导体事业本部，从事CMOS技术的标准逻辑工作。致力于推进日本与欧美厂商的产品共同开发及全球标准化。现在依然从事和CMOS相关的产品开发及技术市场工作。 　　主要著作： 　　《基本·C?MOS標準ロジックIC活用マスタ》（CQ出版社）

工业技术 电子通信 微电子学、集成电路（IC）

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