半导体物理学-(第7版) 本书特色

本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。

半导体物理学-(第7版) 目录

目 录

第1章 半导体中的电子状态
1.1 半导体的晶格结构和结合性质
1.1.1 金刚石型结构和共价键
1.1.2 闪锌矿型结构和混合键
1.1.3 纤锌矿型结构 3
1.2 半导体中的电子状态和能带 4
1.2.1 原子的能级和晶体的能带 4
1.2.2 半导体中电子的状态和能带
1.2.3 导体、半导体、绝缘体的能带
1.3 半导体中电子的运动 有效质量
1.3.1 半导体中 E(k)与k 的关系［3］
1.3.2 半导体中电子的平均速度
1.3.3 半导体中电子的加速度
1.3.4 有效质量的意义
1.4 本征半导体的导电机构空穴 ［3］
1.5 回旋共振［4］
1.5.1 k 空间等能面
1.5.2 回旋共振
1.6 硅和锗的能带结构
1.6.1 硅和锗的导带结构
1.6.2 硅和锗的价带结构
1.7 Ⅲ?Ⅴ族化合物半导体的能带结构 ［7］
1.7.1 锑化铟的能带结构
1.7.2 砷化镓的能带结构 ［8］
1.7.3 磷化镓和磷化铟的能带结构
1.7.4 混合晶体的能带结构
★1.8 Ⅱ?Ⅵ族化合物半导体的能带结构
★1.8.1 二元化合物的能带结构
★1.8.2 混合晶体的能带结构
★1.9 Si 1- x Ge x 合金的能带
★1.10 宽禁带半导体材料
★1.10.1 GaN、AlN的晶格结构和能带 ［18］
★1.10.2 SiC的晶格结构与能带
习题
参考资料
第2章 半导体中杂质和缺陷能级
2.1 硅、锗晶体中的杂质能级
2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质
2.1.2 施主杂质、施主能级
2.1.3 受主杂质、受主能级 39
2.1.4 浅能级杂质电离能的简单计算 ［２，３］
2.1.5 杂质的补偿作用
2.1.6 深能级杂质
2.2 Ⅲ?Ⅴ族化合物中的杂质能级
★2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 0 2.4 缺陷、位错能级
2.4.1 点缺陷
2.4.2 位错 3
习题
参考资料 5
第3章 半导体中载流子的统计分布
3.1 状态密度 ［1，2］
3.1.1 k空间中量子态的分布
3.1.2 状态密度
3.2 费米能级和载流子的统计分布
3.2.1 费米分布函数
3.2.2 玻耳兹曼分布函数
3.2.3 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度
3.2.4 载流子浓度乘积n ０p ０
3.3 本征半导体的载流子浓度
3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.4.1 杂质能级上的电子和空穴
3.4.2 n型半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体 ［2，5］
3.6.1 简并半导体的载流子浓度
3.6.2 简并化条件
3.6.3 低温载流子冻析效应
3.6.4 禁带变窄效应
?3.7 电子占据杂质能级的概率
［2，6，7］
?3.7.1 电子占据杂质能级概率的讨论
?3.7.2 求解统计分布函数
习题
参考资料
第4章 半导体的导电性
4.1 载流子的漂移运动和迁移率
4.1.1 欧姆定律
4.1.2 漂移速度和迁移率
4.1.3 半导体的电导率和迁移率
4.2 载流子的散射
4.2.1 载流子散射的概念
4.2.2 半导体的主要散射机构 ［1］
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.3.1 平均自由时间和散射概率的关系
4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系
4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系
4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系
4.4.2 电阻率随温度的变化
★4.5 玻耳兹曼方程 ［１１］ 、电导率的统计理论
★4.5.1 玻耳兹曼方程
★4.5.2 弛豫时间近似
★4.5.3 弱电场近似下玻耳兹曼方程的解
★4.5.4 球形等能面半导体的电导率
4.6 强电场下的效应 ［１２］ 、热载流子
4.6.1 欧姆定律的偏离
★4.6.2 平均漂移速度与电场强度的关系
★4.7 多能谷散射、耿氏效应
★4.7.1 多能谷散射、体内负微分电导
★4.7.2 高场畴区及耿氏振荡
习题
参考资料
第5章 非平衡载流子
5.1 非平衡载流子的注入与复合
5.2 非平衡载流子的寿命
5.3 准费米能级
5.4 复合理论
5.4.1 直接复合
5.4.2 间接复合
5.4.3 表面复合
5.4.4 俄歇复合

 1/3    1 2 3 下一页 尾页

自然科学 物理学 理论物理学

在线阅读