半导体物理学-(第7版)

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半导体物理学-(第7版)

半导体物理学-(第7版)

作者:刘恩科

开 本:32开

书号ISBN:9787121320071

定价:49.8

出版时间:2017-07-01

出版社:电子工业


5.5 陷阱效应
5.6 载流子的扩散运动
5.7 载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式
5.8 连续性方程式
5.9 硅的少数载流子寿命与扩散长度
参考资料
第6章 pn结
6.1 pn结及其能带图
6.1.1 pn结的形成和杂质分布 [1~3]
6.1.2 空间电荷区
6.1.3 pn结能带图
6.1.4 pn结接触电势差
6.1.5 pn结的载流子分布
6.2 pn结电流电压特性
6.2.1 非平衡状态下的pn结
6.2.2 理想pn结模型及其电流电压方程 [4]
6.2.3 影响pn结电流电压特性偏离理想方程的各种因素 [1,2,5]
6.3 pn结电容 [1,2,6]
6.3.1 pn结电容的来源
6.3.2 突变结的势垒电容
6.3.3 线性缓变结的势垒电容
6.3.4 扩散电容
6.4 pn结击穿 [1,2,8,9]
6.4.1 雪崩击穿
6.4.2 隧道击穿(齐纳击穿) [10]
6.4.3 热电击穿
6.5 pn结隧道效应 [1,10]
习题
参考资料
第7章 金属和半导体的接触
7.1 金属半导体接触及其能级图
7.1.1 金属和半导体的功函数
7.1.2 接触电势差
7.1.3 表面态对接触势垒的影响
7.2 金属半导体接触整流理论
7.2.1 扩散理论
7.2.2 热电子发射理论
7.2.3 镜像力和隧道效应的影响
7.2.4 肖特基势垒二极管
7.3 少数载流子的注入和欧姆接触
7.3.1 少数载流子的注入
7.3.2 欧姆接触
习题
参考资料
第8章 半导体表面与MIS结构
8.1 表面态
8.2 表面电场效应 [5,6]
8.2.1 空间电荷层及表面势
8.2.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容
8.3 MIS结构的C?V特性
8.3.1 理想MIS结构的C?V特性 [5,7]
8.3.2 金属与半导体功函数差对MIS结构C?V特性的影响 [5]
8.3.3 绝缘层中电荷对MIS结构C?V特性的影响 [7]
8.4 硅—二氧化硅系统的性质 [7]
8.4.1 二氧化硅中的可动离子 [8]
8.4.2 二氧化硅层中的固定表面电荷 [7]
8.4.3 在硅—二氧化硅界面处的快界面态 [5]
8.4.4 二氧化硅中的陷阱电荷 [7]
8.5 表面电导及迁移率
8.5.1 表面电导 [1]
8.5.2 表面载流子的有效迁移率
★8.6 表面电场对pn结特性的影响 [7]
★8.6.1 表面电场作用下pn结的能带图
★8.6.2 表面电场作用下pn结的反向电流
★8.6.3 表面电场对pn结击穿特性的影响
★8.6.4 表面纯化
习题
参考资料
第9章 半导体异质结构
9.1 半导体异质结及其能带图 [7~9]
9.1.1 半导体异质结的能带图
?9.1.2 突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度
?9.1.3 突变反型异质结的势垒电容 [4~8]
?9.1.4 突变同型异质结的若干公式
9.2 半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性
9.2.1 突变异质pn结的电流—电压特性 [7,17]
9.2.2 异质pn结的注入特性 [17]
9.3 半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性
9.3.1 半导体调制掺杂异质结构界面量子阱
9.3.2 双异质结间的单量子阱结构
9.3.3 双势垒单量子阱结构及共振隧穿效应 [25]
★9.4 半导体应变异质结构
★9.4.1 应变异质结
★9.4.2 应变异质结构中应变层材料能带的改性
★9.5 GaN基半导体异质结构
★9.5.1 GaN,AlGaN和InGaN的极化效应
★9.5.2 Al x Ga 1- x N/GaN异质结构中二维电子气的形成
★9.5.3 In x Ga 1- x N/GaN异质结构
9.6 半导体超晶格
习题
参考资料
第10章 半导体的光学性质和光电与发光现象
?10.1 半导体的光学常数
?10.1.1 折射率和吸收系数
?10.1.2 反射系数和透射系数
?10.2 半导体的光吸收 [1,2]
?10.2.1 本征吸收
?10.2.2 直接跃迁和间接跃迁
?10.2.3 其他吸收过程
?10.3 半导体的光电导 [6,7]
?10.3.1 附加电导率
?10.3.2 定态光电导及其弛豫过程
?10.3.3 光电导灵敏度及光电导增益
?10.3.4 复合和陷阱效应对光电导的影响
?10.3.5 本征光电导的光谱分布
?10.3.6 杂质光电导
?10.4 半导体的光生伏特效应 [8]
?10.4.1 pn结的光生伏特效应
?10.4.2 光电池的电流电压特性
?10.5 半导体发光 [9,10]
?10.5.1 辐射跃迁
?10.5.2 发光效率
?10.5.3 电致发光激发机构
?10.6 半导体激光 [11~14]
?10.6.1 自发辐射和受激辐射
?10.6.2 分布反转
?10.6.3 pn结激光器原理
?10.6.4 激光材料
?10.7 半导体异质结在光电子器件中的应用
?10.7.1 单异质结激光器
?10.7.2 双异质结激光器
?10.7.3 大光学腔激光器
习题
参考资料
第11章 半导体的热电性质
?11.1 热电效应的一般描

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